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STC352 参数 Datasheet PDF下载

STC352图片预览
型号: STC352
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 61 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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STC352
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
评级
40
30
5
2
-2
1.2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基射极电压上
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
°
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE *
V
BE(上)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 1.5A ,我
B
=0.03A
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
40
30
5
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
13
-
-
-
0.1
0.1
320
1
0.8
2
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
-
V
V
兆赫
pF
* : h
FE
排名/ O : 100 〜 200 , Y: 160 〜 320
KST-B001-000
2