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STK004SF 参数 Datasheet PDF下载

STK004SF图片预览
型号: STK004SF
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内容描述: N沟道MOSFET的沟道 [N-channel Trench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 324 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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STK004SF
N-CH电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(Ta=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
=V
GS
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.1A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=2.1A
V
DS
= 2V ,我
D
=4.2A
V
GS
=0V, V
DS
=10V,
f=1MHz
分钟。
20
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
19
27
22
390
90
40
2.0
1.9
2.8
1.9
4.0
1.0
1.6
马克斯。
-
1.2
1
±10
40
45
-
590
135
60
-
-
-
-
6.0
1.5
2.4
单位
V
V
μA
μA
S
pF
V
DD
= 10V ,我
D
=4.2A
R
G
=10Ω
③④
-
-
-
ns
V
DD
=10V, V
GS
=4.5V
I
D
=4.2A
③④
-
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
源出电流
Sourcecurrent ( Plused )
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(Ta=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=0.5A
I
s
= 0.5A ,V
DD
=10V
di
S
/dt=100A/us
-
-
-
-
-
典型值
-
-
0.7
57
240
最大
0.5
2.0
1.2
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 2.0mH ,我
AS
= 4.2A ,V
DD
= 10V ,R
G
=25Ω
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T5C039-001
3