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STK0825F 参数 Datasheet PDF下载

STK0825F图片预览
型号: STK0825F
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内容描述: 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 473 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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STK0825F
电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(Tc=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ,我
D
=4.0A
V
DS
= 10V ,我
D
=4.0A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
分钟。
250
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.35
4.2
510
76
13
15
85
90
65
15
3
6
马克斯。
-
4.0
1
±100
0.4
-
770
120
20
-
-
-
-
23
5
9
单位
V
V
µA
nA
S
pF
V
DD
= 125V ,我
D
=8A
R
G
=25Ω
-
V
DS
=125V, V
GS
=10V
I
D
=8A
-
-
-
ns
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
源出电流
源电流( Plused )
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(Tc=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=8A
I
s
= 8A ,V
GS
=0,
di
S
/dt=100A/us
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
222
1.45
最大
8
32
1.4
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 5.9mH ,我
AS
= 8A ,V
DD
= 50V ,R
G
=27Ω
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T0O007-000
3