THN4301系列
半导体
硅锗NPN晶体管
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
SOT-523
以毫米单位
□
特点
o低噪声图
NF = 1.5分贝在f = 2 GHz时， V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
NF = 1.7分贝在f = 2 GHz时， V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
o高增益
MAG = 12.3分贝在f = 2 GHz时， V
CE
= 3 V，I
C
= 25毫安
MAG = 12.0分贝在f = 2 GHz时， V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
o高转换频率
f
T
= 15 GHz的在f = 2 GHz时， V
CE
= 3 V，I
C
= 25毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位：mm
维
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
□
h
FE
分类
记号
h
FE
AH1
AH2
125 〜300 80〜160
□
可用软件包
产品
THN4301U
THN4301Z
THN4301E
包
SOT-323
SOT-343
SOT-523
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
评级
15
6
2.5
65
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
1
AUK [ AUK CORP ]
