THN5601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN5601B
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内容描述：	硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 225 K
品牌：	AUK [ AUK CORP ]

半导体

THN5601B

硅锗NPN晶体管

□

应用

Ø VHF和UHF波段中功率放大器

SOT-223

以毫米单位

6.5

3.0

□

特点

3.5

7.0

Ø 4.8 V工作电压

O·P

1dB

= 28 dBm的在f = 900 MHz的

Ø摹

= 8.5分贝在f = 900 MHz的

2.3

0.7

4.6

引脚配置

针无

符号

描述

辐射源

BASE

辐射源

集热器

□

绝对最大额定值（T

= 25

℃

)

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

评级

350

-65 ~ 150

150

单位

℃

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