THN5702F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN5702F
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内容描述：	硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 258 K
品牌：	AUK [ AUK CORP ]

半导体

THN5702F

硅锗NPN晶体管

SOT-89

以毫米单位

□

应用

- VHF和UHF宽频带放大器

□

特点

- 中等功率（ 800mW的， 1W ）的应用

- 功率增益

= 14在V分贝

= 3.6 V ， F = 460兆赫，P

= 0 dBm的

= 15在V分贝

= 4.5 V ， F = 460兆赫，P

= 0 dBm的

= 15在V分贝

= 6.0 V，F = 460兆赫，P

= 0 dBm的

= 16在V分贝

= 3.0 V，F = 434兆赫，P

= 0 dBm的

- 输出功率

OUT

= 29 dBm的在V

= 3.6 V，I

= 30 mA时， F = 460 MHz的

OUT

= 30 dBm的在V

= 4.5 V，I

= 50 mA时， F = 460 MHz的

OUT

= 31 dBm的在V

= 6.0 V，I

= 30 mA时， F = 460 MHz的

OUT

= 25 dBm的在V

= 3.0 V，I

= 50 mA时， F = 434 MHz的

引脚配置

1.基地

2.辐射源

3.收集

4.发射器

□

绝对最大额定值

= 25

℃)

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

评级

1.5

800

1.5

150

-65 ~ 150

单位

℃

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