THN6201系列
半导体
硅锗NPN晶体管
SOT-523
以毫米单位
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
□
特点
o低噪声图
NF = 1.1分贝F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
NF = 1.5分贝F = 2千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
o高功率增益
MAG = 18.5分贝在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
MAG = 13分贝F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
o高转换频率
f
T
= 12 GHz的在V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
□
h
FE
分类
记号
AC1
AC2
80至160
h
FE
价值125至300
□
可用软件包
产品
THN6201S
THN6201U
THN6201Z
THN6201E
包
SOT-23
SOT-323
SOT-343
SOT-523
单位:mm
维
2.9ⅹ1.3, 1.2t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
THN6201KF SOT- 623F 1.4ⅹ0.8 , 0.6吨
评级
20
12
2.5
35
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
注意:静电敏感器件
1