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THN6501Z 参数 Datasheet PDF下载

THN6501Z图片预览
型号: THN6501Z
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内容描述: 硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 231 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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半导体
THN6501系列
硅锗NPN晶体管
SOT-523
以毫米单位
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
特点
o低噪声图
NF = 1.0分贝在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
o高功率增益
MAG = 15分贝F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
o高转换频率
f
T
= 9在V GHz的
CE
= 3 V,I
C
= 30毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位:mm
2.9ⅹ1.3, 1.2t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
h
FE
分类
记号
h
FE
AB1
AB2
125 〜300 80〜160
可用软件包
产品
THN6501S
THN6501U
THN6501Z
THN6501E
SOT-23
SOT-323
SOT-343
SOT-523
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
评级
20
12
2.5
100
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
注意:静电Senetive设备
1