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THN6702F 参数 Datasheet PDF下载

THN6702F图片预览
型号: THN6702F
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内容描述: 硅锗NPN晶体管 [SiGe NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 193 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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半导体
THN6702F
硅锗NPN晶体管
SOT-89
以毫米单位
应用
- VHF和UHF宽频带放大器
特点
- 中等功率应用( 2W )
- 功率增益
G
P
= 15在V分贝
CE
= 6.0 V,F = 460兆赫,P
IN
= 0 dBm的
输出功率
P
OUT
= 33.5 dBm的在V
CE
= 6.0 V,I
CQ
= 30 mA时, F = 460 MHz的
4
3
2
1
引脚配置
1.基地
2.辐射源
3.收集
4.发射器
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
15
10
1.5
900
2
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
W
1