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奥斯汀半导体公司
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过内部开始
命令寄存器。命令寄存器本身不
占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
存储的命令，随着闩锁组成
需要的地址和数据信息，以执行该命令。
该寄存器的内容作为输入到内部状态
机。状态机输出规定的功能
装置。相应的设备总线操作表列出了
需要的输入和控制水平，并将得到的输出。
下面的小节介绍这些操作
在进一步的细节。
AS29F040
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除的存储器扇区） ，
该系统必须驱动WE \\和CE \\到V
IL
和OE \\到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。扇区地址表标明
每个扇区占据的地址空间。 A“扇区地址”
由需要唯一地选择一个地址位
部门。请参阅“命令定义”一节的详细信息
擦除扇区或整个芯片，或暂停/恢复
擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码（这是
分开的存储器阵列）上DQ7 - DQ0 。标准读
循环定时适用于这种模式。请参阅“自选
模式“和”自动选择命令序列“部分的详细
信息。
I
CC2
在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格表
和时序图，用于写操作。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
在CE \\和OE \\引脚V
IL
。 CE \\是功率控制和
选择该设备。 OE \\是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。 WE \\应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的，这
模式，以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期
在器件地址输入断言有效地址
生产上的设备数据输出有效数据。该装置
保持启用，直到命令寄存器的读访问
内容也被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。请参阅
交流读操作表，定时规范和
的读操作时序图的时序波形。
I
CC1
在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过对读出状态位，检查操作的状态
DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读
规格适用。请参阅“写操作状态”
更多信息，并为每个AC特性部分
时序图。
表1 ：设备总线操作
手术
读
写
CMOS待机
TTL待机
输出禁用
注意事项：
CE \\
L
L
V
CC
± 0.5V
H
L
OE \\
L
H
X
X
H
WE \\
H
L
X
X
H
A0 - A20
A
IN
A
IN
X
X
X
DQ0 - DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
请参阅“扇区保护/ unprotection的”一节以获取更多信息。
AS29F040
2.2版09/07
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