SDRAM
奥斯汀半导体公司
4梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
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扩展测试在-55 ° C至+ 125 ° C和
工业级温度-40 ° C至85°C
写恢复（
t
WR
/
t
DPL
)
t
WR
= 2 CLK
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式（工业级， -40 ° C至85°C只）
4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
长引脚TSOP提高可靠性
（ OCPL * ）
流程短/长流测试筛选选项
AS4SD4M16
引脚分配
（ TOP VIEW ）
54引脚TSOP
选项
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记号
4M16
901号
注意： “\\ ”表示低电平有效。
CON连接gurations
4梅格×16 （ 1兆×16× 4组）
塑料包装 - OCPL *
54针TSOP （ 400万）
DG
时间（周期时间）
为8ns ;吨
AC
= 6.5ns @ CL = 3 （T
RP
- 24ns ）
为10ns ;吨
AC
= 9ns @ CL = 2
工作温度范围
-Military （ -55 ° C至+ 125°C ）
- 工业温度（ -40 ° C至85°C ）
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-8
-10
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XT
IT
4梅格×16
CON组fi guration
1梅格×16× 4银行
刷新计数
4K
行寻址
4K （ A0 -A11 ）
银行地址
4 （ BA0 ， BA1 ）
列寻址
256 (A0-A7)
关键时序参数
速度
GRADE
-8
-10
-8
-10
时钟
存取时间
频率
CL = 2 ** CL = 3 **
125兆赫
–
6.5ns
100兆赫
–
7ns
83兆赫
9ns
–
66兆赫
9ns
–
格局
时间
2ns
3ns
2ns
3ns
HOLD
时间
1ns
1ns
1ns
1ns
*关中心的分型线
** CL = CAS （ READ ）延迟
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
