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AS5C4008CW-15L 参数 Datasheet PDF下载

AS5C4008CW-15L图片预览
型号: AS5C4008CW-15L
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内容描述: 512K ×8 SRAM SRAM存储器阵列 [512K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 113 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
规范
• SMD 5962-95600
• SMD 5962-95613
• MIL-STD -883
AS5C4008
引脚分配
( TOP VIEW )
32引脚DIP ( CW ) , 32引脚LCC ( EC)
32引脚SOJ ( ECJ )
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
高速:12, 15,17, 20,25, 35和为45nS
高性能,低功耗军用级设备
单+ 5V ± 10 %电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有的输入和输出为TTL兼容
采用32引脚从1兆易于升级性
进化版。
选项
定时
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事: -55
o
C至+ 125
o
C
工业: -40
o
C至+ 85
o
C
套餐
陶瓷DIP ( 600密耳)
陶瓷扁平
陶瓷LCC
陶瓷SOJ
陶瓷LCC (与工厂联系)
•选项
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
XT
IT
CW
F
EC
ECJ
ECA
L
第112号
304号
209号
502号
208号
32引脚扁平封装(F )
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
概述
该AS5C4008是4兆位单芯片CMOS SRAM ,
组织为512K ×8 。
进化的32引脚器件可从轻松升级
1兆的SRAM 。
对于在高速存储器应用的灵活性, ASI提供
芯片使能( CE \\ )和输出使能( OE \\ )的能力。这些
增强功能可将在高阻抗输出的额外使用灵活
性在系统设计。
写入这些设备被实现时的写使能(WE \\)
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下, CE \\和OE \\变为低电平。这使得系统
设计人员能够满足低待机功耗要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电,所有工作
输入是完全TTL兼容。
AS5C4008
6.2修订版06/05
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
4 3 2
32 31 30
5
29
1
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
A12
A14
A16
A18
VCC
A15
A17
注意:
的工作温度,速度,数据保留不是所有的组合和
低功耗必然是可用。请联系工厂特定部分的可用性
数字组合。
32引脚LCC ( ECA )
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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