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    AS5C4008ECJ-35/H 参数 Datasheet PDF下载

    AS5C4008ECJ-35/H图片预览
    型号： AS5C4008ECJ-35/H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8 SRAM SRAM存储器阵列 [512K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 17 页 / 113 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS5C4008ECJ-35/H的Datasheet PDF文件第10页  
    SRAM
    奥斯汀半导体公司
    低V
    CC
    数据保存波形
    数据保持方式
    VDR
    >2V
    VCC
    4.5V
    4.5V
    AS5C4008
    t
    CDR
    TCDR
    V
    IH
    t
    R
    tR
    VDR
    CE \\
    V
    IL
    读周期1号
    8, 9
    （允许写控制）
    t
    RC
    TRC
    地址
    有效
    t
    AA
    TAA
    t
    OH
    TOH
    DQ
    以前的数据有效
    数据有效
    读周期2号
    7, 8, 10
    （允许写控制）
    t
    RC
    TRC
    CE \\
    AOE
    TAOE
    LZOE
    tLZOE
    t
    t
    t
    HZOE
    tHZOE
    OE \\
    LZCE
    tLZCE
    t
    t
    TACE
    ACE
    数据有效
    t
    HZCE
    tHZCE
    DQ
    t
    TPU
    PU
    ICC
    t
    tPD的
    PD
    AS5C4008
    6.2修订版06/05
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    6

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