SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
超低功耗SRAM
作为军事
规范
• SMD 5962-95613
• MIL-STD -883
1
1,2
AS5C4009
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP ， 32引脚SOJ
& 32引脚TSOP
特点
•超低功耗，具有2V数据保留
（ 0.2MW MAX最坏情况下掉电待机）
??完全静态的，并没有时钟
•单+ 5V ± 10 ％电源
•易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
•所有输入和输出为TTL兼容
•三态输出
•工作温度范围：
陶瓷-55
o
C至+ 125
o
Ç & -40
o
C至+ 85
o
C
塑料
-40
o
C至+ 85
o
C
3
1.不适用于塑料包装
2.仅适用于CW包。
3，联系工厂-55
o
C至+ 125
o
C
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
选项
记号
•时机
55ns存取
-55
4
为70ns存取
-70
85ns存取
-85
100ns的访问
-100
•包
陶瓷DIP （ 600密耳）
CW
5
陶瓷SOJ
ECJ
塑料TSOP
DG
•
选项
2V数据保存/非常低的功率L
第112号
502号
1002号
概述
该AS5C4009组织为524288 ×8 SRAM利用
特殊的超低功耗设计流程。 ASI的引脚排列坚持的
JEDEC标准的引脚排列4兆位的SRAM 。进化32
引脚版本允许从1兆的SRAM设计轻松升级。
对于存储器应用的灵活性， ASI提供芯片使能（ CE \\ ）
和输出使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
该器件采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入和输出是完全TTL兼容。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个重
duced功耗待机模式时关闭，降低VCC为2V和
保持CE \\ = 2V 。这使得系统设计人员能够满足超低
待机功耗要求。
4.对于危险品包装，联系工厂
5.联系厂家
注意：
工作温度，速度，数据保存和低功耗的不是所有的组合都是
不一定可用。请联系工厂的特定部件号的可用性
组合。
引脚名称
功能
WE \\
写使能输入
CE \\
片选输入
OE \\
输出使能输入
A0 - A18地址输入
I / O1 - I / O8数据输入/输出
VCC
动力
VSS
地
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C4009
5.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
