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AS5C4009ECJ-100L/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS5C4009ECJ-100L/IT图片预览
型号: AS5C4009ECJ-100L/IT
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内容描述: 512K ×8 SRAM超低功耗SRAM [512K x 8 SRAM Ultra Low Power SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 103 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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54
3
1
54
32
21
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7654220987654321
31
725
65
76542119876543214321
310
2
721
65
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2
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2
761
65
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310
20
721
76542119876543214321
320
765
数据输出
地址
CE \\控制
V
CC
4.5V
地址
CE \\
GND
2.2V
V
DR
以前的数据有效
奥斯汀半导体公司
读周期1号
1
(地址控制, CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
)
低V
CC
数据保存波形
t
SDR
读周期2号
2
(WE \\ = V
IH
)
t
OH
t
CO1
10 7 4 1 8 5654
09 6 3 0 7 4452
4
10987654321098765432321
09876543210987654321121
09876543210987654323
99866533200977646313
651
10877544211988655322321
09876543210987654321121
1 98 65 32 09 76 3341
0 87 54 21 98 65 6241
45
t
OH
652329 6
4 21
10
652109876543210987654321
4309876543210987654321
109876543210987654321
652109876543210987654321
4109876543210987654321
21
652309876543210987654321
430187 5432 987654321
21
CE \\
t
AA
CE \\ >为VCC - 0.2V
t
AA
数据保留
t
RC
t
OE
10
09
987
987
109866533200977644316
09877544211988655322154321
9876543210987654326
109866533200977644316
09877544211988655322154321
987
09876543210987654321154321
10877544211988655322154321
9866533200977644316
987
09876543210987654321654321
987
t
HZ
3210987654321
21
3210987652109876543210987654321
4109876543210987654321
09876543210987654321
3210987652109876543210987654321
4309876543210987654321
21
3210987652309876543210987654321
4309876543210987654321
21
3210987652309876543210987654321
4109876543210987654321
21
OE \\
t
OLZ
7654121
4351
76
7652321321
7354
7654321321
2151
4321
76 4
7654321321
2121
4321321
7654
7654321321
2321
76 4
7654321321
26 4
4154
4151
76
7654326 4
46
7
765432121321
24354
16 4
7
765432121121
243523
16 4
7
765432321121
221523
31351121
1 6 23
43513
7
765421122121
241223
7
765432121121
4354
76 4
AS5C4009
5.1修订版6/05
数据输出
高-Z
t
LZ
6
t
RC
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
数据有效
数据有效
t
OHZ
t
RDR
未定义
不在乎
AS5C4009
SRAM