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AS5C512K8EC-20/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS5C512K8EC-20/883C图片预览
型号: AS5C512K8EC-20/883C
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内容描述: 512K ×8 SRAM高速SRAM和革命引脚 [512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 402 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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t
CDR
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
I / O DATA IN
& OUT
I / O DATA IN
& OUT
CE \\
地址
地址
V
CC
V
IL
-
CE \\
ICC
奥斯汀半导体公司
以前的数据有效
读周期1号
8, 9
(地址控制, CE \\ OE ​​= \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
)
低V
CC
数据保存波形
高-Z
读周期2号
2
(WE \\ = V
IH
)
t
OH
4.5V
数据保持方式
t
LZCE
t
ACE
t
PU
t
LZOE
6
t
AA
V
DR
>2V
t
AOE
有效
t
RC
V
DR
t
RC
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
4.5V
数据有效
数据有效
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
AS5C512K8
未定义
不在乎
SRAM