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AS5C512K8EC-35LE/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS5C512K8EC-35LE/XT图片预览
型号: AS5C512K8EC-35LE/XT
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内容描述: 512K ×8 SRAM高速SRAM和革命引脚 [512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 402 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
AS5C512K8
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .............................- , 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在
存储温度(塑料) ......................- 65 ° C至+ 150°C ,这些或任何其他条件超过上述指定
存储温度(陶瓷) ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光
短路输出电流(每个I / O) ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作
任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。
最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型,循环
功耗................................................ ................ 1W时,负载,环境温度和空气流通,湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
< 125
o
Ç & -40
o
Ç <牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 5V + 10 % )
描述
电源
当前位置:工作
条件
WE = \\ CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
CE \\ > V
IH
,所有其它输入< V
IL
,
VCC = MAX , F = 0 ,
输出打开
电源
电流:待机
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
225
180
60
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
3
符号
-15
-17
-20
最大
-25
-35
-45
单位备注
"L"版本只有我
SBTLP
CE \\ >的Vcc -0.2V ; VCC = MAX
V
IN
<Vss + 0.2V或
V
IN
>Vcc -0.2V ; F = 0
"L"版本只有我
SBCLP
I
SBCSP
10
10
10
10
10
10
mA

 

   





   



  


  













 









µ
& QUOT ;
µ
& QUOT ;
 
 ! 

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#

   

#   
#

  

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)

)

)







+,  


电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C512K8
修订版4.5 7/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3