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AS5C512K8ECJ-12/H 参数 Datasheet PDF下载

AS5C512K8ECJ-12/H图片预览
型号: AS5C512K8ECJ-12/H
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内容描述: 512K ×8 SRAM高速SRAM和革命引脚 [512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 229 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
高速SRAM与
革命引脚
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-95600
• SMD 5962-95613
•MIL-STD-883
AS5C512K8
引脚分配
( TOP VIEW )
36引脚SOJ ( DJ , ECJ & SOJ )
36引脚CLCC ( EC)
特点
•超高速异步操作
??完全静态的,并没有时钟
•多中心的电源和接地引脚,以提高
噪声抗扰度
•易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
•所有输入和输出为TTL兼容
•单+ 5V电源+/- 10 %
•数据保持功能测试
•成本高效的塑料包装
•扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
•塑料36引脚PSOJ与完全兼容
陶瓷36引脚SOJ和无铅完成提供
• 3.3V未来发售
36引脚扁平封装(F )
选项
•时机
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
•工作温度范围
整个军用( -55
o
C至+ 125
o
C)
军事( -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
/883C
XT
IT
概述
该AS5C512K8是高速SRAM中。它提供了灵活性
高速存储应用,芯片使能( CE \\ )和输出
使能(OE \\ )的能力。这些功能可以将输出在
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能(WE \\)
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下, CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项,该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下,使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件采用单+ 5V电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5C512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5C512K8 SRAM和具有耐用塑料的成本优势。
该AS5C512K8DJ是足迹与36引脚兼容CSOJ
封装SMD 5692-95600的。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
•包( S)
陶瓷LCC
EC
陶瓷扁平
F
塑料SOJ (无铅) *
DJ
陶瓷SOJ (附后形成铅) ECJ
陶瓷SOJ
SOJ
* PB完成也可,联系工厂
• 2V数据保存/低功耗
L
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS5C512K8
修订版7.0 05/08
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