654321
654321
654321
654321
654321
t
AS
地址
CE \\
奥斯汀半导体公司
写周期NO 。 1
12
（ CE控制）
t
AS
t
AW
t
CW
t
WC
t
WP1
876543210987654321
654
876543210987654321321
876543210987654321321
654
876543210987654321321
876543210987654321321
654
876543210987654321
876543210987654321
654
0987654542210987654321098765432
6321210987654321098765432
4433109876543210987654321
543
322
09876564311098765432109876543211
09876565422109876543210987654321
45412109876543210987654321
323
09876564311098765432109876543211
4433109876543210987654321
322
I / O ，数据出
I / O DATA IN
地址
WE \\
写周期NO 。 2
12, 13
（允许写控制）
高-Z
t
AW
t
CW
54543210987654343
76
763
76541218985652343
5432309076743412121
765
7632309076743412121
5432109876543212121
541218985652543
765
7632309076743412121
5432109876543212121
763
54541218985652543
76543210987654343
765
t
AH
0987654321
1098
0
098765439876543210987654321
102176543210987654321
0987654321098765432
98
132176543210987654321
0987654321098765432
098765432176543210987654321
409876543210987654321
098765109876543210987654321
1098
098
1
098765432176543210987654321
1
AS5C512K8
修订版7.0 05/08
I / O ，数据出
I / O DATA IN
WE \\
CE \\
高-Z
7
t
WC
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
t
WP1
数据有效
t
DS
数据有效
t
AH
t
DH
t
DH
高-Z
高-Z
AS5C512K8
SRAM
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
