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AS8ER128K32Q-250/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS8ER128K32Q-250/883C图片预览
型号: AS8ER128K32Q-250/883C
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内容描述: 128K ×32的耐辐射EEPROM可作为军用规格 [128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 551 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ...................- 0.6V至+ 7.0V
工作温度范围
(1)
..................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.........................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ..............- 0.5V至+ 7.0V的电压
(2)
最高结温** ....................................... + 150°C
热阻结到管壳( θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W¯¯
封装类型P & PN .................................. 2.8 ° C / W
注意事项:
1)包括电气特性和数据保留。
2) V
IN
MIN = -3.0V脉冲宽度<为20ns 。
AS8ER128K32
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,周期时间,
负载,环境温度和空气流通,湿度
(塑料) 。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 % )
参数
输入高电压
输入低电压
低输入漏电流( RES \\信号)
高输入漏电流( RES \\信号)
输入漏电流
2
输出漏电流
2
输出高电压
输出低电压
电源电压
RES \\ = 0V , VCC = 5.5V
RES \\ = 5.5V , VCC = 5.5V
OV < V
IN
& LT ; V
CC
输出(S )已禁用,
OV < V
OUT
& LT ; V
CC
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 2.1毫安
条件
符号
V
IH
V
H
V
IL
I
LI
( RES )
I
HI
( RES )
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
-10
-10
2.4
--
4.5
输入高电压( RES \\ )
2.2
V
CC
-0.5
-0.3
1
-500
10
10
10
--
0.4
5.5
V
V
V
最大
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
CC
+1.0
注意:
1) V
IL
( MIN ) : -1.0V脉冲宽度<为20ns 。
2 )所有其他信号引脚除外RES \\
参数
条件
IOUT = 0毫安,V
CC
= 5.5V
周期= 1μS ,占空比= 100 %
符号
最大
-15
80
单位
电源电流:
操作
I
cc3
IOUT = 0毫安,V
CC
= 5.5V
周期= MIN ,占空比= 100 %
CE \\ = V
CC,
V
CC
= 5.5V
CE \\ = V
IH ,
V
CC
= 5.5V
I
CC1
I
CC2
260
mA
1.4
12
mA
mA
电源电流:
待机
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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