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AS8ER128K32SQ-150/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS8ER128K32SQ-150/XT图片预览
型号: AS8ER128K32SQ-150/XT
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内容描述: 128K ×32的耐辐射EEPROM可作为军用规格 [128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 551 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
切换位
该器件提供了另一个函数来确定内部编程周期。如果EEPROM被设置为读模式
在内部编程周期, I / O6将收取从"1"到"0" (肘),每个读。当内部亲
编程周期结束后, I / O6的触发将停止该设备可用于下一次读取或程序访问。
AS8ER128K32
触发位波形
地址
CE \\
t
CE3
4
接下来模式
WE \\
OE \\
t
OEH
I/O6
DIN
DOUT
1
t
OE3
t
OES
DOUT
DOUT
2
DOUT
2
t
DW
t
WC
注意事项:
1 ) I / O6开始的状态是"1" 。
2 ) I / O6结束状态会有所不同。
3 )看AC阅读特点。
4)在任何地方都可以使用,但地址必须是固定的。
软件数据保护时序波形(在保护模式下)
V
CC
CE \\
WE \\
地址
数据(每个字节)
5555
AA
AAAA或
2AAA
55
5555
A0
*在该写周期中,数据被物理地写入到所提供的地址。
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
9
{
写数据
t
BLC
t
BLC
t
BLC
t
WC
写地址*