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AS8ERLC128K32 参数 Datasheet PDF下载

AS8ERLC128K32图片预览
型号: AS8ERLC128K32
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内容描述: 128K ×32的耐辐射EEPROM可作为军用规格 [128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 551 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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初步
规范
奥斯汀半导体公司
128K ×32的耐辐射EEPROM
作为军事规格
MIL -PRF- 38534标准
•空间层次流程
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
EEPROM
AS8ERLC128K32
( TOP VIEW )
68铅CQFP
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
10
60
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
21
49
22
48
23
47
24
46
25
45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
VCC
A11
A12
A13
*A15
*A14
A16
CS1\
OE \\
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
RDY
RES \\
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
引脚分配
特点
的为250ns , 300ns的访问时间
•单操作
3.3V (+ .3V)
供应
•低功耗:
活跃的(最坏情况) :
300mW
( MAX ) ,最大速度运行
待机(最坏情况) :
7.2mW(MAX),
电池备份模式
•自动字节写: 15 ms(最大值)
•自动页写( 128字节) : 15 ms(最大值)
•电源-on数据保护电路,开/关
•低功耗CMOS MNOS电池技术
• 10
4
擦除/写周期(以页面模式)
•软件数据保护
• TTL兼容的输入和输出
- 数据保存:10年
•就绪/忙\\和数据轮询信号
•通过RES \\引脚写保护
•耐辐射:久经考验的总剂量40K到100K RADS *
•屏蔽封装的最佳辐射抗扰度
•工作温度范围:
军事: -55
o
C至+ 125
o
C
工业: -40
o
C至+ 85
o
C
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
* #针脚的31和32 , A15和A14分别从AS8E128K32逆转。正确
利用这些地址线需要在SDP模式的操作,以正常工作。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O31
OE \\
CE \\
WE \\
V
CC
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
选项
•时机
250纳秒
300纳秒
•包
陶瓷四方扁平封装W /引线形成
陶瓷四方扁平封装W /拉杆
屏蔽陶瓷四方扁平封装
屏蔽陶瓷四方扁平封装
标志
-250
-300
V
SS
RDY / BUSY \\就绪忙
RES \\
RESET
Q
QB
SQ
SQB
第703Q
第703QB
第703SF
第703SQB
概述
奥斯汀半导体公司AS8ERLC128K32是4兆
位耐辐射EEPROM模块组织为128K ×32位。
用户可配置为256K X16或512Kx 8.该模块实现了高
高速存取,低功耗和高可靠性
采用先进的CMOS内存技术。
军用级产品符合制造
MIL -STD 883 ,使得AS8ERLC128K32非常适合mili-
tary或空间应用。
该模块提供了一个68铅0.880英寸方形陶瓷
四方扁平封装。它有一个最大值。为0.200英寸的高度(非屏蔽) 。这
包装设计是针对那些要求低的应用
简介SMT封装。
*请联络厂方测试报告。 ASI并不保证或担保
这些性能水平,但引用这些第三方报告。
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
功能框图
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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