初步
规范
奥斯汀半导体公司
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CE
C
IO
参数
A0 - A16电容
OE \\ RES \\ ， RDY电容
WE \\和CE \\电容
I / O 0〜 I / O容量31
最大
40
40
12
20
EEPROM
AS8ERLC128K32
电容表
1
(V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C， VCC = 3.3V ）
单位
pF
pF
pF
pF
注意：
1.此参数是保证，但未经测试。
交流试验特性
测试规范
输入脉冲电平........................................... V
SS
到3V
输入上升和下降时间为5ns ...........................................
输入时序参考电平1.5V .................................
输出参考电平1.5V .........................................
输出负载................................................见图1
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 5V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
电流源
I
OL
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
图1
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 3.3V的）
描述
地址输出延迟
CE \\到输出延迟
OE \\到输出延迟
地址输出保持
CE \\或OE \\高输出的浮动（ 1 ）
RES \\低到输出的浮动（ 1 ）
RES \\到输出延迟
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
测试条件
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
4
-250
符号最小值最大值
t
加
250
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
t
DFR
t
RR
10
0
0
0
0
50
350
600
250
120
-300
最小值最大值单位
300
ns
300
10
0
0
0
0
50
350
600
130
ns
ns
ns
ns
ns
ns
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
