欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AS8ERLC128K32SQB-250/Q 参数 Datasheet PDF下载

AS8ERLC128K32SQB-250/Q图片预览
型号: AS8ERLC128K32SQB-250/Q
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×32的耐辐射EEPROM可作为军用规格 [128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 551 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS8ERLC128K32SQB-250/Q的Datasheet PDF文件第9页  
初步
规范
奥斯汀半导体公司
EEPROM
AS8ERLC128K32
电气特性和推荐AC写特性
(-55
o
Ç <牛逼
A
< 125
o
℃; VCC = 3.3V + 3.3V的)
符号
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
WS
t
WH
t
OES
t
OEH
t
DS
t
DH
t
WP
t
CW
t
DL
t
BLC
t
BL
t
WC
t
DB
t
DW
t
RP
t
水库
地址建立时间
地址保持时间
CE \\写建立时间(WE \\控制)
CE \\保持时间(WE \\控制)
WE \\写建立时间( CE \\控制)
WE \\以保持时间( CE \\控制)
OE \\写建立时间
OE \\以保持时间
数据建立时间
数据保持时间
WE \\脉冲宽度(WE \\控制)
CE \\脉冲宽度( CE \\控制)
数据锁存时间
字节负载循环
字节加载窗口
写周期时间
时间到设备忙
写开始时间
复位保护时间
复位的时候
(5)
参数
(2)
0
150
0
0
0
0
0
0
100
10
250
250
750
1
100
最大
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
µs
µs
15
150
250
(4)
(3)
ms
ns
ns
µs
µs
100
2
读时序波形
地址
CE \\
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
OE \\
WE \\
数据输出
V
IH
高-Z
t
RR
数据输出有效
t
DFR
RES \\
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
5