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AS8ERLC128K32SQB-300/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS8ERLC128K32SQB-300/XT图片预览
型号: AS8ERLC128K32SQB-300/XT
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内容描述: 128K ×32的耐辐射EEPROM可作为军用规格 [128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 551 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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初步
规范
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ...........................- 0.6V至+ 7.0V
工作温度范围
(1)
..................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.........................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ...................- 0.5V至+ 7.0V的电压
(2)
最高结温** ....................................... + 150°C
热阻结到管壳( θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W¯¯
封装类型P & PN .................................. 2.8 ° C / W
注意事项:
1)包括电气特性和数据保留。
2) V
IN
MIN = -1.0V脉冲宽度<为20ns 。
EEPROM
AS8ERLC128K32
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型,周期时间,
负载,环境温度和空气流通,湿度
(塑料) 。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V +/- 3V )
参数
输入高电压
输入高电压( RES \\ )
输入低电压
输入低电压( RES \\ )
低输入漏电流( RES \\信号)
高输入漏电流( RES \\信号)
高输入漏电流( RES \\信号)
输入漏电流
2
条件
符号
V
IH
V
H
V
IL
V
L
2.2
V
CC
-0.3
-0.3
1
-0.3
1
最大
V
CC
+0.3
V
CC
+.3
0.8
0.4
单位
V
V
V
V
RES \\ = 0V , VCC = 3.6V
RES \\ = 3.6V , VCC = 3.6V
RES \\ = 3.3V , VCC = 3.3V
OV < V
IN
& LT ; V
CC
输出(S )已禁用,
OV < V
OUT
& LT ; V
CC
I
OH
= -0.4mA
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 0.1毫安
I
LI
( RES )
I
HI
( RES )
I
HI
( RES )
I
LI
I
LO
V
OH
V
OH
V
OL
V
OL
V
CC
-300
-10.0
-30.0
-10
-10
V
CC
x.8
V
CC
-0.3
--
--
3
10
10
--
--
0.4
0.2
3.6
V
V
V
V
V
输出漏电流
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
电源电压
2
注意:
1) V
IL
( MIN ) : -1.0V脉冲宽度<为20ns 。
2 )所有其他信号引脚除外RES \\
参数
条件
IOUT = 0毫安,V
CC
= 3.6V
周期= 1μS ,占空比= 100 %
符号
最大
-250
30
最大
-300
30
单位
电源电流:
操作
I
cc3
IOUT = 0毫安,V
CC
= 3.6V
周期= MIN ,占空比= 100 %
CE \\ = V
CC,
V
CC
= 3.6V
I
CC1
I
CC2
80
70
mA
0.4
0.4
mA
电源电流:
待机
CE \\ = V
IH ,
V
CC
= 3.6V
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
4
4
mA
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3