FL灰
奥斯汀半导体公司
128K ×32的Flash
闪存阵列
作为军事
特定网络阳离子
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SMD 5962-94716
MIL-STD-883
快速访问时间： 60 ，70， 90 ， 120和150ns的
操作单5V （ ± 10 ％ ）
兼容JEDEC EEPROM命令集
任何部门的结合可以被删除
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
硬件数据保护
数据\\轮询和切换位
低功耗
单个字节的读/写控制
万编程/擦除周期
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
NC
AS8F128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （Q & Q1）
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
特点
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
选项
定时
60ns
70ns
90ns
120ns
150ns
包
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
Q
Q1
标志
-60
-70
-90
-120
-150
703号
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概述
奥斯汀半导体公司AS8F128K32是4兆位
CMOS闪存模块组织为128K ×32位。该
AS8F128K32实现高速存取（60至150毫微秒） ，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。
该设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0V V
CC
供应量。一个12.0V V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以被编程或
擦除标准EPROM编程器。为了消除总线
争用的设备已经单独芯片enbaled （ CEX \\） ，写使能
（ WEX \\ ）和输出使能（ OE ）控制。
该设备需要两个只有一个5.0伏电源
读取和写入功能。内部生成的，稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容JEDEC
单电源闪存标准。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态机，
AS8F128K32
2.0版本5/03
控制擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需的编程地址和数据，并
擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式程序算法，内部
算法，该算法自动倍程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备擦除时通过执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除算法的内部算法
自动preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和验证正确
电池余量。
主机系统可以检测是否一个编程或擦除操作
完成后通过读取I / O7 （数据\\轮询）和I / O6 （切换）
状态位。后一个程序或擦除周期已经完成，该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区被擦除
和重新编程，而不会影响其它的数据内容
部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
硬件数据保护措施，包括低V
CC
检测电源时自动抑制写操作
转场。硬件扇区保护功能禁用这两个
在该领域的任何组合编程和擦除操作
内存，并使用标准EPROM编程实现。
该系统可以将器件置于待机模式。动力
消耗在这种模式下大大降低。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的机制。
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
