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AS8F128K32Q1-90/Q 参数 Datasheet PDF下载

AS8F128K32Q1-90/Q图片预览
型号: AS8F128K32Q1-90/Q
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内容描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 [128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 390 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
设备总线操作
注:本数据的所有设备/算法描述
表引用每个模具。
本节介绍的要求和使用
设备总线操作,这是通过内部开始
命令寄存器。命令寄存器本身不
占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
存储的命令,随着闩锁组成
需要的地址和数据信息,以执行该命令。
该寄存器的内容作为输入到内部状态
机。状态机输出规定的功能
装置。相应的设备总线操作表列出了
需要的输入和控制水平,并将得到的输出。
下面的小节介绍这些操作
在进一步的细节。
AS8F128K32
对于读访问,直到该命令寄存器的内容被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。请参阅
交流读操作表,定时规范和
的读操作时序图的时序波形。
I
CC1
在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列(包括
数据编程到设备和擦除的存储器扇区) ,
该系统必须驱动WEX \\和CEX \\到V
IL
和OE \\到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区,多个部门,
或整个设备。扇区地址表标明
每个扇区占据的地址空间。 A“扇区地址”
由需要唯一地选择一个地址位
部门。请参阅“命令定义”一节的详细信息
擦除一个扇区或整个芯片。
在系统中写入自动选择命令序列,
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码(这是
从存储器阵列)上的I / O31 - I / O0分离。标准读
循环定时适用于这种模式。请参阅“自选模式”
和“自选命令序列”章节了解更多
信息。我
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格表
和时序图,用于写操作。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须驱动
在CEX \\和OE \\引脚V
IL
。 CEX \\是功率控制和
选择该设备。 OE \\是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。 WEX \\应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
在器件上电。这确保了没有寄生
改变存储器内容的权力过程中发生
过渡。没有命令是必要的,该模式以获取
阵列的数据。标准的微处理器读周期的断言
器件地址输入有效地址生成有效
上的设备的数据的数据输出。该器件保持启用
表1 :设备总线操作
1
手术
待机
输出禁用
硬件复位
临时机构撤消
CEX \\
L
L
V
CC
± 0.5V
L
X
X
OE \\
L
H
X
H
X
X
WEX \\
H
L
X
H
X
X
不会忽略
(A16:A0)
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
I / O0 - I / O31
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0 ± 0.5 V , X =唐??在意,A
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出
注意事项:
1,行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。请参阅“扇区保护/
解除保护“一节。
AS8F128K32
2.0版本5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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