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AS8F128K32Q1-60/Q 参数 Datasheet PDF下载

AS8F128K32Q1-60/Q图片预览
型号: AS8F128K32Q1-60/Q
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内容描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 [128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 22 页 / 1258 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
I / O 5:超出时间限制
I / O5 *表示是否编程或擦除时间有
超过一个特定的编辑内部脉冲计数限制。在这些
条件I / O5 *产生一个“1 ”,这是一个失败的情况
它指示程序或擦除周期没有成功
完成。
在I / O5 *故障情况可能会出现,如果系统尝试
方案被预先编程为“1”的某个位置
“0.”
只有擦除操作可改变为“0”回到“ 1”。
在此条件下,该装置停止操作,并当
操作已经超过了时间限制, I / O5 *产生一个
“1”这两种情况下,系统必须发出
复位命令到设备返回读取阵列数据。
AS8F128K32
I / O3 :扇区擦除定时器
写扇区擦除命令序列后,
系统可以读取I / O 3 * ,以确定是否擦除
操作已开始。 (扇区擦除定时器不适用
芯片擦除命令。 )如果有其他部门都选择
消失,整个超时也适用后每增加
扇区擦除命令。当超时完成后, I / O3 *
从“0”切换为“ 1”。该系统可以忽略I / O3 *如果
系统可以保证更多的部门之间的时间
擦除命令将总是小于50毫秒。也见
“扇区擦除命令序列”部分。
扇区擦除命令序列被写入后,将
系统应读I / O7 * (数据\\轮询)或I / O6状态
(切换位I) ,以确保该设备已经接受了命令
顺序,然后读I / O3 。如果I / O3为“1”时,内部
控制擦除周期已经开始;所有进一步的命令
忽略,直到擦除操作就完成了。如果I / O3为“0” ,则
设备将接受额外的扇区擦除命令。对
确保命令被接受后,系统软件
应之前和之后各检查I / O3的状态
随后的扇区擦除命令。如果I / O3高的
第二个状态检查,最后一个命令可能不是
接受的。表5示出了用于I / O 3的输出。
I/O5
2,*
0
0
I/O3*
不适用
1
表5 :写操作状态
手术
嵌入式程序算法
嵌入式擦除算法
注:*
适用于每8个字节
I/O7
1,*
I/O7\
0
I/O6*
切换
切换
1. I / O7需要一个有效的地址读取状态信息时。请参阅相应的小节进一步的细节。
2. I / O5切换到'1'时,嵌入式程序或嵌入式擦除操作已超过最大时间限制。请参阅“ I / O 5:超出
时序限制“以获取更多信息。
绝对最大额定值*
电压相对于地面,V
CC 1
.........................- 2.0V至+ 7.0V
电压相对于地面, A9
2
..........................- 2.0V至+ 14V
电压对地,所有其他引脚
1
......- 2.0V至+ 7.0V
短路输出电流............................................. ........ 200毫安
环境温度与功耗应用...............- 55 ° C至125°C
存储温度范围..........................................- 65 ° C至150℃
注意事项:
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
输入或I / O引脚1.最小直流电压为-0.5 V.在电压转换,输入可以过冲V
SS
至-2.0 V长达20纳秒的时间。看
图5.最大直流输入和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V,在电压转换,输入和I / O引脚可能会过冲至V
CC
+ 2.0 V的时间
高达20纳秒。参见图6 。
2. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。在电压转换, A9引脚可能会过冲V
SS
至-2.0 V长达20纳秒的时间。看
上A9的图5.最大直流输入电压为12.5 V可能过冲,以14V进行达20毫微秒。
3.没有一个以上的输出短路的时间。短路的持续时间应不大于1秒。
图5 :最大负过冲。
AS8F128K32
第2.7版09/07
图6 :最大正向超调
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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