SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×32的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-95595 ： -Q
• SMD 5962-93187 ： -P或-PN
• MIL -STD- 883
AS8S128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （Q & Q1）
特点
•访问的15倍， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ，和45纳秒
•内置的去耦电容的低噪音运行
•组织为128K的32倍;用户配置
256Kx16或512K ×8
•操作单5伏电源
•低功耗CMOS
• TTL兼容的输入和输出
• 2V数据保存，低功耗待机
66引脚PGA- 8引脚， 21 ， 28 ， 39顷理由（ P）
选项
•
定时
15ns
17ns
20ns
25ns
35ns
45ns
包
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列-8系列
针脚栅格阵列-8系列
标志
-15
-17
-20
-25
-35
-45
•
Q
Q1
P
PN
702号
802号
802号
66引脚PGA- 8引脚， 21 ， 28,39没有连接（ PN ）
注意：
PN表示无引脚8 ， 21 ， 28连， 39
概述
奥斯汀半导体公司AS8S128K32是4兆
位CMOS SRAM模块组织成128Kx32位和用户
配置为256Kx16或512Kx8 。该AS8S128K32实现
高速存取，低功耗和高可靠性
通过采用先进的CMOS内存技术。
军用温度级产品适合mili-
tary应用。
该AS8S128K32在陶瓷四方扁平封装提供MOD-
每SMD- 5962-95595乌莱用0.140英寸的最大高度。
该模块使用了一个低调的， mutlichip DE-模块
签收。
这个设备还提供了1.075英寸的正方形陶瓷
每个贴片5692-93187引脚栅格阵列，其具有的最大高度
0.195英寸。这个包也低调，多芯片
模块设计降低高度的要求降至最低。
CE4
WE4
128K ×8
CE3
WE3
M2
128K ×8
M3
I / O 24 - I / O 31
128K ×8
CE2
WE2
M1
I / O 16 - I / O 23
CE1
WE1
OE
A0 - 16
128K ×8
M0
I / O 8 - I / O 23
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS8S128K32
修订版4.0 5/03
I / O 0 - I / O 7
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
