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AS8FLC1M32BQT-100/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS8FLC1M32BQT-100/XT图片预览
型号: AS8FLC1M32BQT-100/XT
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内容描述: 全封闭,多芯片模块( MCM ) 32MB, 1M ×32 , 3.0Volt引导块闪存阵列 [Hermetic, Multi-Chip Module (MCM) 32Mb, 1M x 32, 3.0Volt Boot Block FLASH Array]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 27 页 / 293 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
临时机构撤消
此功能允许暂时未保护之前的
保护部门改变系统的数据。设置RESET \\
销到VID激活部门撤消模式。在这
模式,以前受保护的行业可以进行编程或擦除
通过选择该扇区的地址。一旦VID从删除
在RESET \\销,所有以前受保护的行业是
再次保护。下图描述了算法
流进行此操作。
AS8FLC1M32
FL灰
写脉冲“毛刺”保护
噪声脉冲小于5ns的(典型值)的OE \\ , CSX \\或WEX \\千万
不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE \\ = VIL任何一个抑制,
CSX \\ = VIH或WEX \\ = VIH 。要启动一个写周期, CSX \\和
WEX \\必须是逻辑零而OE \\是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
临时机构撤消图
开始
如果WEX \\ = CSX \\ = VIL和OE \\ = VIH电期间,该装置
不接受上的WEX \\上升沿命令。该
内部状态机自动复位到读阵列
数据上电。
RESET \\ = VID
(注1 )
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或序列
入命令寄存器启动设备的操作。该
命令寄存器表定义了有效的寄存器
命令序列,此设备模块。写作
不正确的地址和数据值,或者将它们写在
不正确的序列设备重置读取阵列数据。
所有地址锁存WEX \\或CSX \\下降沿,
以较迟者为准发生。所有的数据被锁存,上升沿
WEX \\或CSX \\的,先发生者为准。参见AC
定时基准的适当的信号的正确时机。
执行擦除或
节目
操作
RESET \\ = VIH
临时机构
撤消
已完成
(注2 )
读阵列数据
注意事项:
1.所有受保护的行业不受保护
2.所有先前保护部门是
再次保护
该设备后自动设置为读取阵列数据
器件上电。没有命令需要检索的数据。
该器件还准备在完成一个后读取数据
嵌入式程序或嵌入式擦除操作。
该器件接受后擦除挂起命令时,
设备进入擦除挂起模式。该系统可
使用标准的读出定时,不同的是读出数组数据
如果在读取的地址擦除暂停扇区内,则
输出设备的状态数据。完成编程后
在擦除操作挂起模式时,系统可能会一次
再次读阵列数据具有相同的异常。
该系统必须发出复位命令来重新启用
设备读取数组数据,如果DQ5 , DQ13 , DQ21和DQ29
变为高电平时,或当在自动选择模式。
硬件数据保护
UNLOCK周期的命令序列要求
编程或擦除提供数据保护
防止意外写入。此外,以下
硬件数据保护措施防止意外
擦除或编程,否则可能会
在VCC加电引起的寄生系统的电平信号
向上和断电的过渡,或者从系统的噪声。
低Vcc的写保护
当VCC低于VLKO ,设备不接受任何
写周期。这期间, VCC电保护数据和
掉电。该系统必须提供适当的信号,以
控制引脚,以防止无意识时, VCC
大于VLKO 。
AS8FLC1M32B
修订版3.3 05/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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