奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
表2
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
A19
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
A15
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A14
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
AS8FLC1M32
扇区大小
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
FL灰
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过对读出状态位，检查操作的状态
该MCM的每个字节中的每一个的七个数据I / O位
闪存阵列。标准的读周期时序和ICC读
规格适用。请参阅“写操作状态”
更多信息，并以“ AC特性”时机
特定连接的阳离子。
自动睡眠模式，独立的CSX \\ ，
WEX \\和OE \\控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时，地址被改变了。而在睡眠
模式时，输出数据被锁存并始终可用的系统。
ICC5中的“ DC特性表代表
自动休眠模式下的电流使用。
RESET \\ ：硬件复位引脚
在RESET \\引脚提供复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RESET \\引脚驱动
低至少一段色氨酸，设备立即终止
中的任何操作，所有三态输出引脚，并忽略
为复位期间所有的读/写命令\\
脉搏。该器件还复位内部状态机
读阵列数据。被中断的操作应该
要重新开始，一旦该设备已准备好接受另一个
命令序列，以保证数据的完整性。
电流减小为复位\\脉冲的持续时间。当
RESET \\保持在VSS +/- 0.3V ，该器件消耗的CMOS
待机电流（ ICC4 ） 。如果RESET \\保持在VIL但不
的VCC +/- 0.3V的范围内，在MCM阵列将在
待机状态，但目前的限制会比上市高
下ICC4 。
在RESET \\引脚可以连接到系统复位电路。一
系统复位会也因此而复位FLASH阵列，使
系统以从引导读出的引导固件代码
存储器的块区域。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以放置在设备处于待机模式，以节省功率
消费。
该器件进入CMOS待机模式，当CSX \\
和RESET \\引脚保持在VCC +/- 0.3V 。如果CSX \\和RESET \\
保持在VIH ，但不能在VCC +/- 0.3V ，该器件将在
待机模式，但在全比达到更高水平
CMOS待机。该设备要求的标准访问时间
（TCE）进行读访问时，该设备在任一这些
待机模式中，它准备读数据之前。
如果设备被擦除过程中取消选择或
编程时，器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表， ICC3和ICC4代表
待机模式电流。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用此
当地址保持稳定TACC + 30ns的模式。
AS8FLC1M32B
修订版3.3 05/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
