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AS8FLC2M32BP-120/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS8FLC2M32BP-120/IT图片预览
型号: AS8FLC2M32BP-120/IT
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内容描述: 全封闭,多芯片模块( MCM ) 64MB, 2M ×32 , 3.3Volt引导块闪存阵列 [Hermetic, Multi-Chip Module (MCM) 64Mb, 2M x 32, 3.3Volt Boot Block FLASH Array]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 29 页 / 403 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过对读出状态位,检查操作的状态
该MCM的每个字节中的每一个的七个数据I / O位
闪存阵列。标准的读周期时序和ICC读
规格适用。请参阅“写操作状态”
更多信息,并以“ AC特性”时机
特定连接的阳离子。
AS8FLC2M32
FL灰
自动睡眠模式,独立的CSX \\ ,
WEX \\和OE \\控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时,地址被改变了。而在睡眠
模式时,输出数据被锁存并始终可用的系统。
ICC5中的“ DC特性表代表
自动休眠模式下的电流使用。
RESET \\ :硬件复位引脚
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以放置在设备处于待机模式,以节省功率
消费。
在RESET \\引脚提供复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RESET \\引脚驱动
低至少一段色氨酸,设备立即终止
中的任何操作,所有三态输出引脚,并忽略
为复位期间所有的读/写命令\\
脉搏。该器件还复位内部状态机
读阵列数据。被中断的操作应该
要重新开始,一旦该设备已准备好接受另一个
命令序列,以保证数据的完整性。
该器件进入CMOS待机模式,当CSX \\
和RESET \\引脚保持在VCC +/- 0.3V 。如果CSX \\和RESET \\
保持在VIH ,但不能在VCC +/- 0.3V ,该器件将在
待机模式,但在全比达到更高水平
CMOS待机。该设备要求的标准访问时间
(TCE)进行读访问时,该设备在任一这些电流的减小对于在RESET \\脉冲的持续时间。当
RESET \\保持在VSS +/- 0.3V ,该器件消耗的CMOS
待机模式中,它准备读数据之前。
待机电流( ICC4 ) 。如果RESET \\保持在VIL但不
如果该设备是在擦写或VCC +/- 0.3V的范围内取消, MCM的阵列将是
编程时,器件消耗的有功电流,直到备用,但目前的限制会比上市高
下ICC4 。
操作完成。
在DC特性表, ICC3和ICC4代表
在RESET \\引脚可以连接到系统复位电路。一
系统复位会也因此而复位FLASH阵列,使
待机模式电流。
系统以从引导读出的引导固件代码
存储器的块区域。
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用此
当地址保持稳定TACC + 30ns的模式。
AS8FLC2M32B
修订版1.2 5/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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