奥斯汀半导体公司
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然后系统复位也复位FLASH装置，
使系统微处理器读取引导向上
固件从闪速存储器阵列。该器件提供两种
省电功能。当地址已经稳定
一个指定的时间量，该设备进入自动
睡眠模式。该系统还可以将设备插入
待机模式。功耗大大降低
这两种模式。
AS8FLC2M32
FL灰
权力过渡。没有命令是必要的，此模式
以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期
那
断言器件地址输入出示有效的有效数据
上的数据的数据输出。该装置仍处于启用状态的读
访问，直到命令寄存器的内容被改变。
请参见读取阵列数据的详细信息。请参阅
时序规格AC读操作表中的数据
有关该操作模式。
设备总线操作
本节描述了使用命令寄存器的
设置和控制总线操作。命令
注册本身并不占用任何可寻址存储器
位置。该寄存器由一系列锁存器的那
存储所需要的命令，地址和数据信息
执行指定的命令。该寄存器的内容
作为输入到内部状态机。国家
机输出决定了设备的功能。表1
列出了设备的总线操作，输入和控制/刺激
它们需要的水平，并且所得到的输出。以下
小节描述更详细，所有这些作业。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列，系统必须
开车CSX \\ ， WEX \\到VIL和OE \\到VIH 。
擦除命令操作可以擦除一个扇区，多
扇区或整个阵列。表2表示的地址空间
包含在数组中的每个扇区内。扇区地址
由需要唯一地选择一个扇区的地址位。
“命令定义”部分，对擦除细节
一个单一的，多个扇区，整个阵列或悬浮剂/
恢复的擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码（这是
从存储器阵列）上的每个数据输入端的分离/
MCM的闪存阵列的每个字节中的输出位。
标准读周期时序适用于这种模式。参阅
自选模式，并自动选择命令序列部分
了解更多信息。
ICC2在DC特性表代表了活跃
电流规格为写模式。交流
特色部分包含时序规格写
操作。
手术
地址
数据总线（ DQ0 - DQX ）
D0 -D7输出
D8 -D15输出
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
CSX \\和OE \\引脚VIL 。片选CSX \\是电力和
在一个或多个字节的片选控制的目标由系统
（用户） 。输出使能[ OE \\ ]为输出控制和大门
数组数据到输出引脚。写（字节）启用[ WEX \\ ]
应保持在VIH水平。
内部状态机被设置为在读数组数据
设备上电，或一个硬件复位之后。这保证
该内存的内容没有虚假变更过程中发生
表1
RESET \\
CS1\
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
VCC +/- 0.3V
X
L
VID
VID
VID
传说
笔记
VCC +/- 0.3V
L
X
L
L
CS2\
H
L
H
H
L
H
L
H
H
L
VCC +/- 0.3V
L
X
L
L
CS3\
H
H
L
H
L
H
H
L
H
L
VCC +/- 0.3V
L
X
L
L
CS4\
H
H
H
L
L
H
H
H
L
L
VCC +/- 0.3V
L
X
L
L
L
H
H
H
L
X
H
X
L
L
H
L
H
H
L
X
H
X
L
L
H
H
L
H
L
X
H
X
L
L
H
H
H
WE1 \\ WE2 \\ WE3 \\ WE4 \\ OE \\
H
L
读
A0 - AX在
D16 - D31输出
D24 - D31输出
D0- D31输出
H
H
H
L
L
X
H
X
L
L
X
H
X
H
H
待机
输出魔鬼
RESET
部门保护
部门撤消
X
X
X
扇区地址
A7 = L时， A 2 = H， A 1 = L
扇区地址
A7 = L时， A 2 = H， A 1 = L
A
IN
H
写
A0 - AX在
D0 - D7在
D8 - D15在
D16 - D31在
D24 - D31在
D0 - D31在
D
IN
, D
OUT
D
IN
, D
OUT
D
IN
X
X
X
X
X
X
X
X
X
临时机构撤消
L =逻辑= VIL ，H =逻辑高电平= VIH ， VID = 12.0 +/- 0.5V ，X =无关，A
IN
=地址，D
OUT
= OUT数据
AS8FLC2M32B
修订版1.2 5/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
