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AS8FLC2M32BQ-90/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS8FLC2M32BQ-90/IT图片预览
型号: AS8FLC2M32BQ-90/IT
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内容描述: 全封闭,多芯片模块( MCM ) 64MB, 2M ×32 , 3.3Volt引导块闪存阵列 [Hermetic, Multi-Chip Module (MCM) 64Mb, 2M x 32, 3.3Volt Boot Block FLASH Array]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 29 页 / 403 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
擦除扇区中,由于代码不存储在存储器
数组。当器件退出自选模式,设备
恢复到擦除挂起模式,并准备再
有效的操作。
该系统必须写入擦除恢复命令
退出擦除暂停模式,继续在部门
ERASE操作。 Resume命令的进一步WRITES
将被忽略。另一个擦除挂起命令即可
写后,该装置已恢复擦除。
擦除操作图
开始
NO
NO
AS8FLC2M32
FL灰
数据\\轮询算法框图
开始
读字节数据
地址= VA
读字节数据
地址= VA
DQ7 , DQ15 , YES
DQ23 , DQ31 =
数据吗?
DQ7 , DQ15 , YES
DQ23 , DQ31 =
数据吗?
WRITE ERASE
命令
顺序
失败
NO
DQ5 , DQ13 ,
DQ21,
DQ29=1?
是的
数据从投票
系统
NO
数据= FFH ?
是的
删除
已完成
算法完成时,该装置输出该基准
编程到每一个这些状态位。该系统
必须提供该程序的地址读取有效状态
信息。如果一个程序的地址范围内受保护的失败
部门数据\\轮询激活大约为1us ,那么
设备返回读取阵列数据。
在嵌入式擦除算法,数据\\投票产生
一个在数据\\轮询状态位为“0” 。当嵌入式
擦除算法完成,或者如果设备进入ERASE
暂停模式,数据\\轮询上各产生一个“1”的
数据\\轮询状态位。这类似于补体/
为嵌入式程序描述真实的数据输出
算法:擦除功能改变一个部门的所有位
为“1” ;在此之前,该设备输出“赞美” ,或
“0”。该系统必须在任何的提供的地址
选择擦除扇区读取有效状态
信息。
经过擦除命令序列写入,如果所有s4ctors
选择擦除受保护,数据\\轮询是积极的
大约100us的,那么该设备返回到阅读
阵列的数据。如果不是所有选定行业的保障,
嵌入式擦除算法擦除未受保护的行业,
而忽略了保护的选定行业。
当系统检测到一个数据\\轮询状态位发生了变化
从补充到真正的数据,它可以读在有效数据
每个字节以下的读周期。这是
因为
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
写操作状态
该装置提供了几个位,以确定一个状态
写操作: DQ2 , DQ3 , DQ5 , DQ6和字节1 DQ7 ;
DQ10 , DQ11 , DQ13 , DQ14和字节2 DQ15 ; DQ18 , DQ19 ,
DQ21 , DQ22和字节3 DQ23 ;还有, DQ26 , DQ27 ,
4个字节。此外DQ29 , DQ30和DQ31的RY / BY \\销
也可用于该操作的监控。
DQ7 , DQ15 , DQ23和DQ31 :数据\\查询
每一个字节的数据\\轮询位,表示到主机系统
嵌入式算法是否正在进行或已完成,
或设备是否处于擦除挂起。数据\\轮询是
后最终WEX \\脉冲在上升沿有效
编程或擦除命令序列。
在嵌入式程序算法,该器件输出
在DQ7为1字节, DQ15为2个字节, DQ23为3字节,而DQ31
为4字节的数据的补充程序,以每
的这些位。此状态也适用于编程
擦除过程中暂停。当嵌入式程序
AS8FLC2M32B
修订版1.2 5/09
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