奥斯汀半导体公司
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模式选择
（续）
CE \\
1 4
L
WE \\
1 4
H
OE \\
L
13
AS8nvLC512K32
I / O
0 31
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
NVSRAM
A15 A0
7
模式
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
动力
活跃
8
L
H
L
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
我主动
CC2 8
L
H
L
活跃
8
防止自动存储
所述自动存储功能是通过启动一个自动存储禁用禁用
序列。中的方式执行读操作的序列
类似的软件商店开始。要启动自动存储
禁用序列，CE下面的序列来控制阅读
操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8B45自动存储禁用
该自动存储被重新启用通过启动一个自动存储启用
序列。中的方式执行读操作的序列
类似的软件RECALL启动。要启动自动存储
启动序列，CE将按照下列顺序来控制读
操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4B46自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用，手动STORE
操作（硬件或软件） ，必须发出保存自动存储
国家通过以后的掉电周期。部分来自
与自动存储在出厂时已启用。
数据保护
该AS8nvLC512K32保护数据从损坏中低
电压条件下抑制所有外部发起
STORE和写入操作。当检测到低电压状态
当VCC <的vSwitch。如果AS8nvLC512K32处于写模式
（包括CE和WE都为低电平），在上电时，一个调用或存储后，
写被禁止，直到SRAM被tLZHSB （ HSB后启用
输出有效） 。这可以防止意外的写入过程中
上电和掉电条件。
AS8nvLC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
