SRAM
奥斯汀半导体公司
256K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
•MIL-STD-883
MT5C1005
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚DIP （C ）
（ 400 MIL ）
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ DCJ ）
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
特点
高速：20， 25 ，35，和45
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
•单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
•易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
•所有输入和输出为TTL兼容
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
•
•
•
•
32引脚扁平封装（F ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ ECW ）
A9
A8
A7
NC
VCC
A6
A5
选项
•时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
4 3 2 1 31 32 30
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A2
A4
A3
A1
A0
NC
NC
NC
DQ4
14 15 16 17 18 19 20
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
VSS
OE \\
NC
•包（ S）
陶瓷DIP （ 400密耳）
C
陶瓷LCC四
（联系工厂）
ECW
陶瓷LCC
EC
陶瓷扁平
F
陶瓷SOJ
DCJ
•工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
• 2V数据保存/低功耗
L
第109号
206号
207号
303号
501号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计，采用双捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用， ASI灵活性
提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能（ WE \\）和CE \\输入都
低。阅读时，我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C1005
3.2修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
