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MT5C1008C-45L/883C 参数 Datasheet PDF下载

MT5C1008C-45L/883C图片预览
型号: MT5C1008C-45L/883C
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内容描述: 与双芯片128K ×8 SRAM启用可作为军用规格 [128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器输出元件输入元件
文件页数/大小: 17 页 / 185 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围( VCC) ...............................- 。 5V至+ 6.0V
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
短路输出电流(每个I / O) ... ....................... 20毫安
任一引脚电压相对于Vss ................- 。 5V至Vcc + 1 V
最高结温** ....................................... + 150°C
功耗................................................ ..................... 1 W
MT5C1008
*强调在或高于下"Absolute马克西列出
妈妈Ratings"可能导致器件的永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本说明书中的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间会影响其可靠性。请参阅本17页
数据表中查找有关此主题的技术说明。
**结温取决于封装类型,循环
时间,装载,环境温度和空气流和湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
Ç & -45
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
条件
符号
V
IH
V
IL
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
µA
µA
V
笔记
1
1, 2
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
& LT ; V
CC
输出(S )禁用
0V<V
OUT
& LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-20
-25
150
140
V
参数
条件
符号
-12
250
-15
180
-35
135
-45
125
单位备注
mA
3
电源
当前位置:工作
CE \\ < V
IL
; OE \\我们\\ ,并CE2>V
IH
I
CCSP
V
CC
= MAX中,f = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出开路
只有* L版本
I
CCLP *
CE \\ = V
IH ,
CE2=V
IL
;在其他投入
& LT ; V
IL
, >V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
& LT ; V
SS
-0.2V
V
IH
& GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
I
SBT
250
180
140
130
125
115
mA
电源
电流:待机
25
25
25
25
25
25
mA
I
SBC
10
10
10
10
10
10
mA
电容
描述
输入电容( A0 - A16 )
输出电容
输入电容( CE \\我们\\ OE \\ )
MT5C1008
修订版6.5 7/02
条件
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
C
I
最大
12
14
20
单位
pF
pF
pF
笔记
4
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3