SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
随着芯片& OUTPUT ENABLE
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-89598
•MIL-STD-883
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MT5C1009
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （C ， CW ）
32引脚SOJ （ SOJ ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
NC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ DCJ ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
NC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
特点
•
•
•
•
•
•
•
访问次数： 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55和70纳秒
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有的输入和输出为TTL兼容
32引脚LCC （ ECA ）
4 3 2 1 32 31 30
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
NC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
选项
•时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包（ S） •
陶瓷DIP （ 400密耳）
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷LCC
陶瓷LCC
陶瓷扁平
陶瓷SOJ
陶瓷SOJ
• 2V数据保存/低功耗
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A12
A14
A10
6
NC
V
CC
A15
CE2
NC
32引脚扁平封装（F ）
29
28
27
26
25
24
23
22
21
WE
\
A13
A8
A9
A11
OE
\
A10
CE1
\
DQ8
14 15 16 17 18 19 20
DQ2
DQ3
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
概述
C
CW
EC
ECA
F
DCJ
SOJ
L
111号
第112号
207号
208号
303号
501号
507号
该MT5C1009是1,048,576位高速CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。该装置
使用8个通用输入和输出线路，并具有输出烯
能引脚，在快过地址的访问时间操作
读周期。
对于设计的灵活性在高速存储器
应用，该器件提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
启用（ OE \\ ）功能。这些增强功能可将输出
把高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了低功率待机模式时显示
禁止时，允许系统设计，实现超低待机功耗
要求。
在“L”版本提供了2V数据保存方式，重新
ducing电流消耗为2mW最大。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。这是标准杆
ticularly非常适合于高密度，高速系统使用
应用程序。
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C1009
修订版5.5 8月1日
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
