奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-88662
• SMD 5962-88552
•MIL-STD-883
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚SOJ （ DCJ ）
28引脚DIP （C ， CW ）
V
CC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
32引脚LCC （ ECW ）
4 3 2 1 32 31 30
特点
•
•
•
•
•
•
•
访问次数： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ， 70 ， &为100ns
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A7
A12
A14
NC
V
CC
WE \\
A13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
14 15 16 17 18 19 20
选项
•
定时
为12ns存取
1
15ns的访问
1
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
2
为70ns存取
2
100ns的访问
•
包（ S）
3
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷LCC （ 28引脚）
陶瓷LCC （ 32引脚）
陶瓷扁平封装
陶瓷SOJ
•
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
• 2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-100
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28引脚扁平封装（F ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
3 2 1 28 27
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A7
A12
A14
V
CC
WE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
DQ2
DQ3
V
SS
NC
DQ4
DQ5
DQ6
28引脚LCC （ EC）
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
13 14 15 16 17
C
CW
EC
ECW
F
DCJ
第108号
第110号
204号
208号
302号
500号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
当我们\\造诣居高不下， CE \\和OE \\去
低。该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
在“L”版本提供了一个备用电池/低
电压数据保持方式，提供为2mW最大功率
功耗在2伏。所有器件均采用+ 5V单电源工作
电源和所有输入和输出都充分的TTL
兼容。
XT
IT
L
注意事项：
1. -12在IT才可用。
2.电气特性相同的那些规定的
为45nS接入设备。
3.塑料SOJ （ DJ包）可在AS5C2568数据表。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2568 / AS5C2568
4.5修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
DQ3
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
