SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-89524
• MIL -STD- 883
MT5C2565
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速：12， 15，20， 25 ，35，和为45nS
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
•单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
•符合CE易扩展内存\\
•所有输入和输出为TTL兼容
•
•
•
•
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
1 0
A9
1 1
CE \\
1 2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
选项
•时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写这些设备是有成就的，当写使能
（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。读完成
当我们\\居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗
要求。
为“L”版本提供一个近似50％的
减少的CMOS待机电流（I
SBC2
）在标准
版本。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
No.108
204号
•工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
• 2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
