SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×1的SRAM
SRAM存储器阵列
MT5C6401
引脚分配
（ TOP VIEW ）
22引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
Q
WE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
D
CE \\
作为军事
特定网络阳离子
•
•
SMD 5962-86015
MIL-STD-883
特点
•速度： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
•备用电池： 2V的数据保留
•高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
•单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
•符合CE易扩展内存\\
•所有输入和输出为TTL兼容
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用，奥斯汀的灵活性
安森美半导体提供的所有组织芯片使能（ CE \\ ） 。
此增强功能可将在高阻抗输出的
在系统设计中更多的灵活性。 X1的配置
设有独立的数据输入和输出。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
并做到了，当我们\\保持高电平CE \\变低。
该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，
所有输入和输出完全TTL兼容。
选项
•时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
•包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45*
-55*
-70*
C
第105号
•工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
• 2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些设置为35ns的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C6401
1.0版8月1日
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
