VRAM
奥斯汀半导体公司
262144 ×16位显存
多端口视频RAM
作为军事
特定网络阳离子
•军事处理流程（ SM级）
• -55℃至125℃的温度
（ TOP VIEW ）
64引脚陶瓷扁平封装（ HKC ）
SM55161A
生产
引脚分配
特点
•组织：
- DRAM ： 262 144 16位
- SAM ： 512 ×16位
•双端口可访问性 - 同步和异步
访问从所述DRAM和SAM端口
•双向数据传输功能从DRAM到
串行数据寄存器，并从串行数据寄存器，以DRAM
• （ 8 ×8 ）× 2块写入功能的快速区域填充
•写每比特的功能选择和每一个内存I / O;两
写每比特模式来简化系统设计
•字节写控制（ CASL ， CASU ）提供了灵活性
•扩展数据输出更快的系统循环时间
•用于快速访问增强分页模式操作
• CAS先于RAS （ CBR）和隐藏的刷新模式
•长刷新周期： 8毫秒（最大值）
•高达50 MHz的不间断串行数据流
• 512可选串行寄存器起始位置
• SE-控制寄存器，状态QSF
•拆分寄存器传输阅读简体实时注册
负载
•可编程拆分注册停点
•三态串行输出允许视频数据的简单复
流
•从SM55161针脚兼容升级
•兼容JEDEC标准
引脚说明
针
A0-A8
CASL \\ ， CASU \\
DQ0-DQ15
DSF
NC / GND
描述
地址输入
列地址选通/字节选择
DRAM数据I / O，写掩膜数据
特殊功能选择
特殊功能选择
无连接/接地（注意：不是
内部连接到V
SS
)
特殊功能输出
行地址选通
串行时钟
串行启用
串行数据输出
输出使能，转移选择
5V电源（典型值）
地
DRAM的写使能选择
选项
•时机
为70ns存取
75ns存取
80ns的访问
•包
68引脚PGA
64引脚扁平封装
•工作温度范围
- 军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
-70
-75
-80
QSF
RAS \\
SC
SE \\
SQ0-SQ15
TRG \\
V
CC
GB
HKC
V
SS
WE \\
M后缀
我的后缀
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www.austinsemiconductor.com
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SMJ55161A
修订版1.6 03/05
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
