UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C256s的输出端被连接
在同一总线上，任何特定设备的输出上平行
在电路中可以被读，没有来自干扰
竞争的其他设备的输出。要读取的输出
所选SMJ27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\
和G \\ 。在电路中的所有其他设备应具有其
禁止通过施加一个高电平信号输出到其中的一个
销。输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
SMJ27C256
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C256 EPROM是通过使用SNAP编程！
如所示的流程图脉冲编程算法
在图1中的标称该算法的程序的设备
4秒的时间。实际编程时间变化的
功能使用的程序员。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
在SNAP ！脉冲编程算法使用初始脉冲
为100微秒（ μs）内后跟一个字节的验证步骤
来确定何时处理字节已成功
编程。提供每字节多达10 100μs的脉冲
前一个故障被识别。
编程模式，实现当V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。多单可装置
当设备连接在并行编程。
位置可以按照任何顺序进行编程。当SNAP ！
脉冲编程例程完成，所有位都被验证
随着V
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在SMJ27C256闭锁免疫力最低为250mA
对所有的输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当EPROM接口采用工业电路板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安减少
（ SMJ27C256-15通过SMJ27C256-25 ）为500μA （与TTL
电平输入）或300μA （ CMOS电平输入）通过施加高
TTL / CMOS信号到E \\销。在这种模式下所有的输出都
在高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述SMJ27C256通过曝光擦除
通过透明盖到一个高强度的芯片超
紫色光（波长2537埃） 。 EPROM擦除前
编程是必需的，以确保所有的位都在
逻辑高电平状态。逻辑低点被编程到所希望的
位置。编程的逻辑低电平只能通过擦除
紫外光。建议的最低照射剂量
（紫外线强度X曝光时间）为15W •秒/厘米
2
。一个典型的
12mW/cm
2
，滤波紫外线灯擦除设备
21分钟。该灯应放置约2.5cm以上
擦除期间的芯片。擦除之后，所有位都在高
状态。但是应当注意的是，在正常环境光包含
正确的波长进行删除;因此，当使用
SMJ27C256 ，窗口应覆盖有不透明
标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13V时，
摹\\ = V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别制造商和设备类型。此模式是
当A9被迫12V ±0.5V激活。两个标识符
字节由A0 （端子10）的访问;即A0 = V
IL
访问
制造商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问设备的代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。
所有其他地址必须在VIL举行。每个字节包含
奇校验位上DQ7 。的制造商代码，这些
设备是97H和设备代码为04H 。
SMJ27C256
1.0版9/01
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
