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SMJ44400 参数 Datasheet PDF下载

SMJ44400图片预览
型号: SMJ44400
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内容描述: 1M ×4的DRAM动态随机存取存储器 [1M x 4 DRAM DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 352 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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DRAM
奥斯汀半导体公司
1M ×4的DRAM
动态随机存取
内存
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-90847
• MIL -STD- 883
SMJ44400
引脚分配
( TOP VIEW )
20引脚DIP ( JD )
20引脚扁平封装( HR)
( 400 MIL )
DQ1
DQ2
W\
RAS \\
A9
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VSS
DQ4
DQ3
CAS \\
OE \\
A8
A7
A6
A5
A4
特点
•组织1,048,576 ×4
•单+ 5V ± 10 %电源
•更快的内存访问增强的分页模式操作
P
更高的数据带宽比传统的分页模式
零件
P
与一列一列中的随机单位访问
地址
• CAS \\ -Before - RAS \\ ( CBR )刷新
•长刷新周期:在16ms的1024周期刷新(最大)
•三态输出虚掩
•低功耗
•所有输入/输出和时钟是TTL兼容
•加工,以MIL -STD - 883 ,B类可
引脚名称
A0 - A9
CAS \\
DQ1 - DQ4
OE \\
RAS \\
W\
VCC
VSS
功能
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
行地址选通
写使能
5V电源
选项
•时机
80ns的访问
100ns的访问
120ns的访问
•包( S)
陶瓷DIP ( 400mils )
陶瓷扁平
记号
-80
-10
-12
该SMJ44400提供了400万, 20引脚陶瓷
侧钎焊双列直插式封装(JD后缀)和一个20针
陶瓷扁平封装(后缀为HR )为特征的
经营范围从-55 ° C至+ 125°C 。
手术
JD
HR
第113号
308号
增强的页面模式
增强的分页模式操作允许更快的内存
同时选择通过保持相同的行地址的访问
随机列地址。时间为行地址设置
并保持和地址复用被淘汰。最大
可以访问由所确定的列数
最高RAS \\低的时间和使用的CAS \\网页周期时间。
最小CAS \\网页周期时间,所有1024列
由指定的列地址A0到A9可以访问
不干预RAS \\周期。
不同于传统的页面模式的DRAM中,柱分离
地址缓冲器在该装置中都对活化
•工作温度范围
M
军事( -55
o
C至+ 125
o
C)
概述
该SMJ44400是一系列4194304位动态随机
DOM -存取存储器(DRAM ) ,组织为1,048,576
也就是说每4位。该系列产品采用先进设备,最先进的
技术对高性能,高可靠性和低功耗
操作。
该SMJ44400功能的最大行存取时间
80ns的,为100ns和120ns的。最大功耗为为
低360MW运行和待机22MW 。
所有输入和输出,包括时钟,是兼容
与54系列的TTL 。所有addressses和数据输入线被锁存
芯片上,简化了系统设计。数据输出是虚掩到
提高了系统的灵活性。
SMJ44400
2.0版本10/01
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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