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SMJ44C251B12HJM 参数 Datasheet PDF下载

SMJ44C251B12HJM图片预览
型号: SMJ44C251B12HJM
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内容描述: 256K ×4 VRAM 256K ×4的DRAM 512K ×4的SAM [256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 57 页 / 1255 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
256K ×4 VRAM
256K ×4的DRAM
有512K ×4的SAM
作为军事
特定网络阳离子
• SMD 5962-89497
• MIL -STD- 883
SMJ44C251B
MT42C4256
引脚分配
( TOP VIEW )
VRAM
28引脚DIP (C )
( 400 MIL )
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
28引脚SOJ ( DCJ )
28引脚LCC ( EC)
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
特点
B级高可靠性处理
DRAM : 262144字× 4位
SAM : 512字× 4位
采用5 V单电源( ± 10 %容差)
双端口可访问性,同步和异步访问
从DRAM和SAM端口
在DRAM和之间的双向,数据传输功能
串行数据寄存器
4 × 4块写入功能的快速区域填充操作;由于许多
作为四个内存地址,每个周期书面的
片套色
写每比特的功能选择和每一个内存I / O;两
写每比特模式来简化系统设计
为了更快访问增强分页模式操作
CAS先于RAS ( CBR)和隐藏刷新模式
所有的输入/输出和时钟是TTL兼容
龙刷新周期: 8毫秒(最大值)
高达33 MHz的不间断串行数据流
三态串行I / O的允许视频数据的简单复
512可选串行寄存器启动
拆分串行数据寄存器用于简化实时注册刷新
28引脚ZIP ( CZ )
DSF
DQ3
SDQ2
VSS
SDQ0
TRG \\
DQ1
GND
A8
A5
VCC
A3
A1
QSF
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
DQ2
SE \\
SDQ3
SC
SDQ1
DQ0
W\
RAS \\
A8
A4
A7
A2
A0
CAS \\
28引脚FP (F )
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
选项
•时机
为100ns ,为30ns / 27ns
120ns的,为35ns / 35ns的
•包( S)
陶瓷SOJ
陶瓷DIP ( 400密耳)
陶瓷LCC
陶瓷扁平封装
陶瓷ZIP
陶瓷LCC
记号
-10
-12
MT前缀
DCJ
C
EC
F
CZ
---
SMJ前缀
---
JDM
HMM
---
SVM
HJM
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
引脚名称
引脚名称
( SMJ )
(MT )
A0 - A8
A0 - A8
CAS \\
CAS \\
DQ0 - DQ3
DQ1 - DQ4
SE \\
SE \\
RAS \\
RAS \\
SC
SC
SDQ0 - SDQ3 SDQ1 - SDQ4
TRG \\
TR \\ / OE \\
W\
ME \\ / WE \\
DSF
DSF
QSF
QSF
VCC
VCC
VSS
VSS
GND
NC
描述
地址输入
列启用
DRAM数据输入 - 输出/写屏蔽位
串行启用
行启用
串行数据时钟
串行数据输入 - 输出
转移登记/ Q输出使能
写面膜选择/写使能
特殊功能选择
分注册活动状态
5V电源
地面(重要提示:未连接到
内部VSS时,引脚应悬空或
接地。
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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