偏置和操作
推荐的静态直流偏置条件OP-
timum效率，性能和可靠性为Vd = 5
volts with Vg set for Id=900 mA. Minor improvements in
性能可能取决于该应用程序。
The drain bias voltage range is 3 to 5.5V. A single DC gate
电源连接至Vg意愿偏所有增益级。静音
可以通过设置Vg的和/或Vg到完成
夹断电压Vp 。
可选的输出功率检波器网络也
提供的。所述的Det -价之间的差分电压
和DET-焊盘可以与RF功率相关联
新兴从RF输出端口。所检测的电压
由下式给出：
V
=
(
REF
−
V
DET
)
−
V
OFS
V
组装技术
在MMIC芯片的背面是RF接地。对于微带
应用的芯片应该被直接连接到
使用electri-接地平面（如电路载体或散热器）
cally conductive epoxy [1]
为了获得最佳性能，在MMIC的上部应该是
升至高度相同的电路周围
它。这可以通过安装一个金盘来完成
金属垫片下（相同的长度和宽度，在MMIC ）
这是正确的厚度的芯片，使芯片
和相同的高度，相邻的电路。的量
环氧树脂用于芯片和/或垫片附件应
恰好足以提供围绕底部的薄鱼片
芯片或垫片的周长。应在地面平
自由可能危及电或任何残留的
机械连接。
其中...
V
REF
是处的电压
DET
_
R
口，
V
DET
是一个电压
在
DET
_
O
端口，并
V
OFS
在零输入功率偏移中的RF键合焊盘的位置示于图12 。
请注意，所有的RF输入和输出端口是在一个地面
电压。有三种方法来计算：
信号配置。
1.
V
OFS
每个检测器之前可被测量的测量
换货（删除或关闭电源RF连接应尽可能短，以合理
和测量） 。这种方法可以让因减少因不良的性能下降错误
串联电感。一个单一的连接线通常是足够的
temperature drift of less than 0.01dB/50°C.
for signal connections, however double bonding with 0.7
2.
V
OFS
可以在一个单一的基准温度进行测量。密耳的金线或采用金网片[2]推荐
The drift error will be less than 0.25dB.
为获得最佳性能，尤其是在高端附近
V
OFS
可以被表征在不同温度和频带。
3.
存储在查找表中，或者它可以在两个被测量
热超声楔焊是电线首选方法
温度和线性拟合来计算在任何
附着到所述键合焊盘。金网可贴
温度。这个方法给出了一个错误靠近
using a 2 mil round tracking tool and a tool force of ap-
method #1.
proximately 22 grams and a ultrasonic power of roughly
所述RF端口被AC耦合在RF输入到第一台55分贝的76 ±8毫秒的持续时间。在引导楔形
和最后级的RF输出。没有接地有线都可以用于0.7密耳64分贝的untrasonic功率电平
必要的，因为地面的连接都是用镀金金属丝。推荐使用丝焊台温度
贯通孔向所述装置的背面。
150 +/- 2C.
需注意不要超过绝对马克西
妈妈评分为组件的温度和时间。
The chip is 100um thick and should be handled with care.
这MMIC暴露空气桥的顶面和
应的边缘或与自定义夹头被处理
（不要拿起与模具中心真空中的死亡）。
这MMIC也是静电敏感和ESD预防措施
应注意。
注意事项：
[1]建议ABLEBOND 84-1 LM1银环氧树脂。
[2] Buckbee - 米尔斯公司，圣保罗，明尼苏达州， 800-262-3824
AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
