绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
g
I
d
P
D
P
in
T
CH ，最大
T
英镑
T
最大
参数
[1]
正电源电压
门电源电压
漏电流
功耗
CW输入功率
最大工作温度通道
贮存箱温度
Maximum Assembly Temp (20 sec. max.)
单位
V
V
mA
W
DBM
°C
°C
°C
价值
6
-3 to 0.5
900
4.6
23
+55
-65 to +55
+260
笔记
note 2
note 2,3
note 2
note 4,5
注意事项：
？ 。操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
电源电压2.组合，漏电流，输入功率和输出功率不得超过PD 。
3.当在此条件下为85 ℃，平均无故障时间（ MTTF）的底板温度下操作是显著降低。
4.这些等级适用于每一个人FET 。
5.结工作温度将直接影响到设备的平均无故障时间。为了获得最大的寿命，所以建议的结温是
保持在尽可能低的水平。
DC规格/物理性能
符号
I
d
V
g
R
QJC
T
ch
参数和测试条件
漏极电源电流（V
d
= 5 V, V
g
为我设置
d
典型）
门电源工作电压（I
D（ Q）
= 650 (mA))
热？电阻
[6]
（通道至底板）
通道温度
单位
mA
V
° C / W
°C
价值
650
-.
20
50.6
注意：
6.假定锡铅焊接至评估射频板在80℃下底板的温度。最坏情况下的信道温度下
quiescent operation. At saturated output power, DC power consumption rises to 4.26 W with .4 W RF power delivered to load. Power
dissipation is 3. W and the temperature rise in the channel is 68.4°C. In this condition, the base plate temperature must be remained below
86.6°C to maintain maximum operating channel temperature below 55°C.
RF连接特定的阳离子
[1,2,3,4]
符号
频率。
收益
P
-∞dB
P
-3dB
OIP
3
RLIN
RLOUT
隔离
T
A
= 25°C, V
d
= 5 V, Id
(Q)
= 650 mA, Z
o
= 50 Ω
参数和测试条件
工作频率
Small-Signal Gain S2
[3,4]
在输出功率？分贝
[3]
增益压缩
[2]
Output Power at 3 dB Gain Compression
[3]
三阶截点;
∆f = 00 MHz; Pin = -20 dBm
输入回波损耗
[2]
输出回波损耗
[2]
反向隔离
单位
GHz的
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
最低
6
7.5 (@ Freq = 8 GHz)
5.5 (@ Freq = 7 GHz)
28 (@ Freq = 8 GHz)
27 (@ Freq = 7 GHz)
典型
8
28.5
29.5
38
3
9
45
最大
8
注意事项：
. Small/large-signal data measured in packaged form on a 2.4 mm connecter based evaluation board at T
A
= 25°C.
2. This final package part performance is verified by a functional test correlated to actual performance at one or more frequencies.
3. Specifications are derived from measurements in a 50 Ω test environment. Aspects of the amplifier performance may be improved over a
通过应用程序的附加共轭，线性或功率匹配更窄的带宽。
4. Preassembly into package performance verified 00% on-wafer published specifications at frequencies = 7, 2, and 7 GHz.
2
AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
