300
100
I
F
- 正向电流（mA ）
HSMS-270x
HBAT-540x
10
1
在肖特基二极管中获得最大的可靠性
当稳态结温就会维持
tained等于或低于150℃ ，虽然短暂的游览
高结温可以不被容忍
根据平均时间到故障， MTTF显著影响。在
为了计算结温，方程
(1) and (3) below must be simultaneously solved.
11600 (V
F
– I
F
R
S
)
.1
.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
F
= I
S
e
NT Ĵ
–1
(1)
V
F
- 正向电压（ V）
图7.正向电流与
正向电压在25 ℃。
图7.正向电流与正向电压在25 ℃。
I
S
= I
0
因为自动，挑选和放置设备的使用
组装这些产品中选择从相邻的骰子
在晶片上的位点，这两个二极管，进入HBAT-
540 ？或HBAT - 540C （系列一）密切配合 -
经过测试和分级的额外费用。
T
J
298
2
1
1
n –4060
T
–
J
298
e
(2)
(3)
T
J
= V
F
I
F
θ
JC
+ T
A
其中：
I
F
=正向电流
I
S
=饱和电流
V
F
=正向电压
R
S
=串联电阻
T
J
=结温
I
O
= saturation current at 5°C
N =二极管理想因子
θ
JC
=热阻结到外壳
（二极管导）
= θ
包
+ θ
芯片
T
A
=环境（二极管引线）的温度
Equation (1) describes the forward V-I curve of a Schottky
二极管。方程（ ？ ）为二极管的卫星 - 价值
uration current, which value is plugged into (1). Equation
(3) gives the value of junction temperature as a function
功率消耗在二极管和环境（铅）
温度。
6
当前在处理剪切/钳位电路
剪辑的目的/钳位二极管来处理
高电流，保护电路细腻下游
的二极管。电流处理能力判断
由两组特征的，这些芯片或设备的
自身和那些在其中它被安装在封装中。
嘈杂的数据尖峰
当前
限制
Vs
长跨站电缆
下拉
（或拉）
0V
电压限制
VS + VD的
0V - Vd的
图8.两个肖特基二极管用于裁剪/钳位电路中。
考虑在图8所示的电路，其中两个
肖特基二极管用于保护从噪声的电路
尖刺上的数字数据流。二极管的能力
限制电压尖峰是与他们的下沉能力
相关的电流尖峰。当前的重要性
h
andling capacity is shown in Figure 9, where the forward
通过正向电流产生的电压进行比较
两个二极管。第一是常规肖特基二极管
一般用在射频电路中的类型，用的R
S
of 7.7Ω.
第二个是相同characteris-的肖特基二极管
抽动，保存第r
S
of 1.0 Ω. For the conventional diode, the
的R相对高的值
S
导致整个电压
二极管的终端上涨的电流增加。电源
耗散在二极管加热的交界处，使ř
S
to
爬上去，便出现了热失控条件。在
与低R第二二极管
S
等加热不采取
放置并横跨二极管两端的电压就会维持
tained在低限，即使在目前的高值。
7
V
F
- 正向电压（ V）
5
4
3
2
1
0
R
s
= 1.0
Ω
R
s
= 7.7
Ω
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
F
- 正向电流（mA ）
图9.比较两个二极管的。
图9.比较两个二极管的。
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