应用信息
肖特基二极管的基本原理
该HBAT - 540X系列裁剪/钳位二极管
是肖特基器件。肖特基器件是整流，
金属与金属 - 半导体接触形成
和n掺杂或p型掺杂半导体。当一个
金属 - 半导体结形成时，自由电子
从半导体流过结，并填写
自由能态中的金属。这种电子流
创建穿过结的耗尽或潜在。该
在半导体之间的能级差别
金属被称为肖特基势垒。
P型掺杂，肖特基势垒二极管，擅长应用
要求超低导通电压（例如零偏压
RF检波器） 。但他们非常低，击穿电压
和高串联电阻使它们不适合
涉及高剪切和夹紧应用
正向电流和高的反向电压。因此，
本次讨论会完全集中于n型掺杂肖特基
二极管。
下，将正向偏压（金属连接到正处于
n掺杂肖特基） ，或正向电压，V
F
，有许多
电子具有足够的热能以穿过屏障
潜力转化为金属。一旦所施加的偏压超过
结的内建电势，正向工作电流，
I
F
，将会为V迅速增加
F
增加。
当在肖特基二极管被反向偏置，潜在
屏障电子变大;因此，有
一个小概率的电子将有suffi-
cient热能以交叉的交界处。相反
漏电流将在毫微安到microam-
佩尔范围，取决于二极管型，反向
电压和温度。
而相比之下，传统的pn结，电流在
肖特基二极管是由多数载流子才通过。
因为没有少数载流子的电荷存储效应
目前，肖特基二极管具有小载流子寿命
超过100 ps和是非常快的开关半
导体。肖特基二极管用作整流器在
f
requencies of 50 GHz and higher.
肖特基之间的另一个显著差异
的p-n二极管的正向电压降。肖特基二极管
have a threshold of typically 0.3 V in comparison to that
of 0.6 V in p-n junction diodes. See Figure 6.
电容
P
N
金属无
当前
电容
当前
0.6 V
0.3 V
–
+
–
+
偏压
偏压
PN结
肖特基结
图6 。
通过精心操纵的直径
肖特基接触和金属的选择沉积在
在n掺杂硅，的重要特征
二极管（结电容，C
J
;寄生串联电阻
tance ，R
S
;击穿电压V
BR
;和正向电压，
V
F
， ）可以为特定的应用进行优化。该HSMS-
70x series and HBAT-540x series of diodes are a case in
点。
两个二极管也有类似的势垒高度;这
由对应的饱和度值所指示
当前，我
S
。然而，不同的接触直径和epitaxial-
在路口非常不同的价值层厚度的结果
电容C
J
和R
S
。这是由它们的SPICE描绘
parameters in Table 1.
表1. HBAT - 540X和HSMS- 270X SPICE参数。
参数
BV
CJ0
EG
IBV =
IS
N
RS
PB
PT
M
HBAT-540x
40 V
3.0 pF
0.55 eV
10E-4 A
1.0E-7 A
1.0
.4 Ω
0.6 V
0.5
HSMS-270x
5 V
6.7 pF
0.55 eV
10E-4 A
1.4E-7 A
1.04
0.65 Ω
0.6 V
0.5
于I值低
F
≤ 1毫安，的正向电压
两个二极管是几乎相同的。然而，随着电流上升
高于10毫安，在HSMS-的下串联电阻
70x allows for a much lower forward voltage. This gives
the HSMS-70x a much higher current handling capabil-
性。的折衷是结电容的更高的值。
在正向电压和电流曲线说明存在差
分配办法在这两个肖特基二极管，如图
7.
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