应用信息
产品选型
Avago的系列表面贴装肖特基二极管提供
独特的解决方案，很多设计上的问题。每个进行了优
而得到优化用于特定的应用。
在选择合适的产品的第一步是选择
二极管类型。所有的产品在的HSMS- 282X FAM-
随手使用相同的二极管芯片，它们只在包不同
配置。同样是HSMS- 280x的真实， -281x ，
285x ， -286x和-270x家庭。每个家庭都有不同的
组特征，这可以最容易地比较
通过咨询对每个数据给出的SPICE参数
表。
该HSMS- 282X系列进行了优化，在使用射频
的应用，如
•
直流偏置小信号探测器1.5 GHz的。
•
偏见或偏见的大信号探测器（ AGC或
电源监视器）至4 GHz 。
•
混频器和frequencymultipliers到6 GHz 。
在HSMS- 282X系列的另一个特点是其单位为单位
和很多到很多的一致性。在此所用的硅芯片
系列已被设计为使用尽可能少的亲
工艺步骤，以尽量减少变化的二极管characteris-
抽动。对这款产品的一致性的统计数据显示，
的SPICE参数方面，可从安华。
对于那些需要非常高的细分应用
电压，利用二极管的HSMS- 280x系列。转向
当你需要非常低闪烁噪声HSMS- 281X 。该
HSMS - 285x是一个家庭的零偏置检波二极管的小
信号应用。高频检波器或混频器
应用程序，使用HSMS- 286x系列。该HSMS- 270X
是一系列特殊二极管用于超高速限幅
和夹紧在数字电路。
8.33 X 10
-5
nT
R
j
= –––––––––––– = R
V
– R
I
S
+I
b
0.026
≈ -----在25℃下
I
S
+I
b
V - IR
S
哪里
–––––
I = I
S
(e
0.026
– 1)
N =理想因子（见表的SPICE参数）
s
T =温度°K
I
S
=饱和电流（见表格的SPICE参数）
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
R
v
接线和串联电阻=总和的斜率
的V-I曲线
I
S
是二极管的势垒高度的函数，并且可以从
皮安高势垒二极管，高达5μA为
非常低
8.33 X 10
-5
nT
垒二极管。
R
j
= –––––––––––– = R
V
– R
s
高度
I
肖特基势垒
S
+I
b
的肖特基势垒的电流 - 电压特性
在二极管
0.026
温度是通过以下所述
≈
房间
在25℃下
–––––
I
公式：
S
+ I
b
I = I
S
(e
S
–––––
V - IR
0.026
– 1)
肖特基势垒二极管特性
剥去包，肖特基势垒二极管芯片的
包括由否变形的金属 - 半导体阻挡层的
在半导体的金属层的位置。最
常见几种不同的类型，所述钝化二极管
示于图10中，连同其等效电路。
R
S
是二极管的寄生串联电阻的总和
所述接合线和引线框架的阻力，该阻力
体层的硅等的射频能量耦合成R
S
丢失的热不向整流输出
把二极管的。 ç
J
是的寄生结电容
二极管，由厚的烦躁外延层的控制
和肖特基接触的直径。 ř
j
是junc-
二极管的灰电阻，总电流的函数
流过它。
在半对数图（如图Avago的目录中）的
当前图形将与反斜面2.3直线
X 0.026 = 0.060每循环伏（直到R的效果
S
可见
中的曲线下垂在高电流） 。所有的肖特基二极管
曲线具有相同的斜率，但不一定是相同的
电流的值对于给定的电压。这是确定的
由饱和电流，我
S
，并涉及到在阻挡
二极管的高度。
通过p型或n型硅，并且在选择
选择的金属，可以定制的特点
肖特基二极管。势垒高度将被改变，并且在
同时CJ和RS将被改变。在一般情况下，非常低
势垒高度二极管（与IS的值高，适合
零偏压应用程序）实现对p型硅。这样
二极管遭受的RS比n型高值。
R
S
钝化
层
金属
钝化
N型或P型外延
肖特基结
n型或p型硅衬底
C
j
R
j
横截面肖特基
势垒二极管芯片
当量
电路
图10.肖特基二极管芯片。
5
HSMS - 285A / 6A图9
AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
